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芯科科技出展CES 2026并展出如何加速互聯(lián)智能的未來(lái)
芯科科技(Silicon Labs)再度亮相2026年國(guó)際消費(fèi)電子展(CES),通過(guò)技術(shù)演示、主題演講及核心產(chǎn)品發(fā)布,全面展示物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域創(chuàng)新成果。此次展會(huì),芯科科技推出適配Zephyr開源實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的全新Simplicity SDK,提供嵌入式開發(fā)企業(yè)級(jí)方案,同時(shí)展演藍(lán)牙信道探測(cè)、AI/ML單芯片無(wú)線電機(jī)控制等前沿技...
2026-01-23
芯科科技 物聯(lián)網(wǎng) 邊緣智能 CES 2026
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低功耗與高可靠兼得!Cadence與微軟攜手,共推面向未來(lái)AI的基礎(chǔ)設(shè)施內(nèi)存技術(shù)
面對(duì)人工智能與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)內(nèi)存性能與可靠性的雙重極致需求,全球領(lǐng)先的EDA與IP供應(yīng)商Cadence(楷登電子) 近日聯(lián)合微軟,推出了業(yè)界矚目的高可靠性內(nèi)存解決方案。該方案將Cadence經(jīng)驗(yàn)證的LPDDR5X IP(速率高達(dá)9600Mbps)與微軟創(chuàng)新的RAIDDR ECC(冗余獨(dú)立雙倍數(shù)據(jù)速率陣列糾錯(cuò)碼) 技術(shù)深度融合...
2026-01-23
Cadence 低功耗 DRAM Microsoft RAIDDR ECC 技術(shù) 人工智能應(yīng)用
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CES 2026現(xiàn)場(chǎng)直擊:XMOS新一代DSP亮相CES,多款終端產(chǎn)品落地開花
在2026年國(guó)際消費(fèi)電子展(CES 2026)的舞臺(tái)上,XMOS 作為一家專注于 生成式系統(tǒng)級(jí)芯片(GenSoC)與邊緣AI 技術(shù)的廠商,攜手其廣泛的生態(tài)伙伴,共同呈現(xiàn)了一場(chǎng)以“智能”為核心的技術(shù)盛宴。展會(huì)期間,基于XMOS新一代音頻DSP、嵌入式視覺(jué)及機(jī)器人平臺(tái)開發(fā)的眾多客戶終端產(chǎn)品集中亮相,從智能音頻、語(yǔ)音...
2026-01-23
XMOS CES 2026 GenSoC 音頻DSP 嵌入式視覺(jué) 機(jī)器人 邊緣AI
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告別續(xù)航焦慮!揭秘電池監(jiān)控如何成為電動(dòng)汽車高效的真正基石
在電動(dòng)汽車的核心——電池管理系統(tǒng)中,精準(zhǔn)監(jiān)控遠(yuǎn)非一個(gè)簡(jiǎn)單的“電量計(jì)”。它是一套集安全守護(hù)、能效優(yōu)化與壽命管理于一體的復(fù)雜保障體系。鮮為人知的是,其底層基礎(chǔ)——電壓測(cè)量的精度,直接決定了整套系統(tǒng)的可靠性。測(cè)量中微小至10毫伏(mV)的偏差,便足以讓電池電量狀態(tài)(SoC)的估算產(chǎn)生幾個(gè)百分點(diǎn)的...
2026-01-23
電池監(jiān)控精度 電動(dòng)汽車 BMS 電池管理系統(tǒng) SoC 估算精度 電動(dòng)汽車
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體榮獲2026年全球百?gòu)?qiáng)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)稱號(hào).jpg)
意法半導(dǎo)體榮獲2026年全球百?gòu)?qiáng)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)稱號(hào)?
2026年1月22日,意法半導(dǎo)體再度躋身科睿唯安發(fā)布的全球百?gòu)?qiáng)創(chuàng)新機(jī)構(gòu)榜單,實(shí)現(xiàn)連續(xù)五年、總計(jì)第八次獲此殊榮的亮眼成績(jī)。這份邁入第15屆的權(quán)威榜單,以嚴(yán)苛的專利評(píng)估體系和全球發(fā)明數(shù)據(jù)為支撐,成為衡量機(jī)構(gòu)創(chuàng)新實(shí)力與行業(yè)影響力的核心基準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體的持續(xù)上榜,不僅印證了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕創(chuàng)...
2026-01-22
意法半導(dǎo)體 科睿唯安 邊緣 AI MEMS 傳感器
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特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社發(fā)布耐浪涌電流強(qiáng)的肖特基勢(shì)壘二極管
特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社(東京都東京都江東區(qū),代表董事:木村岳史,以下簡(jiǎn)稱特瑞仕)開發(fā)了具備優(yōu)異耐浪涌電流與浪涌沖擊能力的 650V SiC 肖特基勢(shì)壘二極管 “XBSC41 / XBSC42 / XBSC43 系列”。
2026-01-22
特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社
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LTC7891 驅(qū)動(dòng) GaN 器件:死區(qū)時(shí)間優(yōu)化與過(guò)沖測(cè)量關(guān)鍵技術(shù)
電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域用上氮化鎵(GaN)器件后,能實(shí)現(xiàn)更高能量密度和更快開關(guān)速度,但GaN FET沒(méi)有體二極管,且柵極電壓限制嚴(yán)苛,死區(qū)時(shí)間的設(shè)置成了老大難問(wèn)題。死區(qū)時(shí)間太短會(huì)引發(fā)“直通”,直接損壞器件;太長(zhǎng)又會(huì)讓反向?qū)〒p耗飆升,拉低效率。本文以15V-36V輸入、12V/15A輸出的LTC7891降壓轉(zhuǎn)換器為例,...
2026-01-21
氮化鎵 (GaN) FET 降壓轉(zhuǎn)換器 柵極驅(qū)動(dòng) LTC7891 功率損耗
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四象限控制器與光伏電站倒送工況適配應(yīng)用
光伏電站并網(wǎng)后,“倒送電網(wǎng)”時(shí)段的穩(wěn)定關(guān)乎收益與電網(wǎng)考核。浙江某8MW分布式光伏電站因傳統(tǒng)控制器存在技術(shù)盲區(qū),倒送時(shí)段頻發(fā)無(wú)功補(bǔ)償誤動(dòng)作、功率因數(shù)波動(dòng)問(wèn)題,偏離0.95考核標(biāo)準(zhǔn)并產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)損失。這一問(wèn)題的核心的是傳統(tǒng)控制器無(wú)法適配功率流向反轉(zhuǎn)工況。
2026-01-16
光伏電站 四象限控制器 傳統(tǒng)控制器
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RFID技術(shù)驅(qū)動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)智造升級(jí)——總裝車間應(yīng)用探析
新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展推動(dòng)車型迭代、工藝升級(jí)及數(shù)字化建設(shè),傳統(tǒng)生產(chǎn)模式難以為繼。信息追溯、數(shù)據(jù)同步、物料配送等痛點(diǎn)制約總裝車間轉(zhuǎn)型,RFID技術(shù)憑核心優(yōu)勢(shì)適配需求。本文闡述其應(yīng)用方案與產(chǎn)品特性,及通過(guò)多路徑破解痛點(diǎn)、賦能產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的價(jià)值。
2026-01-16
RFID 技術(shù) 工業(yè)級(jí) RFID 產(chǎn)品 新能源汽車
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