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低壓差線性穩壓器（LDO）在攝像頭應用中的創新設計
近年來，隨著5G、AI、生物識別等技術的不斷發展，攝像頭也迎來了升級迭代。無論是清晰度還是智能化程度抑或是應用場景，都在不斷加強和豐富，遠程醫療、遠程辦公、AI測溫、非接觸式識別等等。對攝像頭而言，實時的清晰圖像傳輸是其運作的基礎，因此產品的穩定性、清晰度成為了重要的指標。
2021-10-26
低壓差線性穩壓器 LDO 攝像頭應用
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如何為LED選擇限流電阻的值
當然，理想的解決方案是用電流源驅動LED。各種IC可用于以恒定電流驅動LED（甚至串聯成串）。這樣，LED的VI特性就變得至關重要。最簡單的此類IC之一是ON Semi的NSI50010YT1G，這是一種2引線電流源，與LED串聯放置，并且不管LED和電源電壓（IC兩端的電壓）如何，均將電流調節為10 mA。必須介于1.8 V和...
2021-10-26
LED 限流電阻
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三極管和MOS管下拉電阻的作用
簡單講解一下三極管，如果三極管工作在飽和區（完全導通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且這個0.3V，我們就認為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍數β=100，三極管完全導通。
2021-10-26
三極管 MOS管 下拉電阻
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“芯”聯萬物，一“碳”究竟，IOTE 第十六屆國際物聯網展盛大開幕！
深圳福田會展中心1、2、6號館，共有六大展區：人工智能、智慧城市、傳感器、通信定位、工業互聯、RFID應用展區，650家展商誠邀蒞臨！本屆展會由深圳市物聯網產業協會主辦，深圳市物聯傳媒有限公司、深圳市易信物聯網絡有限公司承辦，本屆物聯網展會以“芯聯萬物，智賦全球”為主題，響應數智化，可持...
2021-10-25
芯片 IOTE
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碳化硅功率晶體的設計發展及驅動電壓限制
傳統上在高壓功率晶體的設計中，采用硅材料的功率晶體要達到低通態電阻，必須采用超級結技術（superjunction），利用電荷補償的方式使磊晶層（Epitaxial layer）內的垂直電場分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態電阻。
2021-10-25
碳化硅功率晶體 驅動電壓
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如何減少電容器聲音噪聲？
當在音頻范圍內的頻率下工作時，某些表面貼裝電容器會表現出噪聲。最近的設計使用10μF，35V X5R 1206陶瓷電容器，該電容器會產生明顯的聲音噪聲。要使這樣的板靜音，可以使用Murata和Kemet等制造商的聲學靜音電容器。
2021-10-25
電容器 噪聲
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帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
鑒于全球能源危機，當前電子設備的重點是實現高功率與低能耗的結合。因此，許多電子公司都在提高其眾多產品規格中的效率標準。然而，常規的硬開關轉換器幾乎無法滿足這些要求。
2021-10-24
快速體二極管 MOSFET器件 LLC拓撲 FREDFET
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聚焦2021CISES，愛芯元智仇肖莘詳解AI技術為ISP發展帶來新轉機
近日，為期兩天的中國國際半導體高層峰會（CISES）在上海成功舉辦，作為全球規模最大的半導體制造產業年度盛會之一，峰會聚焦行業發展新動態、新趨勢、新產品，致力于為業界高端決策者及重要人士提供國際性合作交流平臺，使其快速了解主要市場和政府對半導體制造業的未來規劃，拓展更加廣闊的商業平...
2021-10-21
愛芯元智 AI技術 ISP
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瑞薩推出Renesas Ready合作伙伴網絡 為廣泛的MCU產品線提供商業級構建模塊
2021 年 10 月 20 日，日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團（TSE：6723）今日宣布，推出全球化技術合作伙伴網絡——“Renesas Ready合作伙伴網絡（Renesas Ready Partner Network）”，為廣泛的MCU產品線提供商業級構建模塊。該網絡所帶來的廣泛解決方案面向下一代物聯網設計所需的重要...
2021-10-21
瑞薩 Renesas Ready合作伙伴網絡 MCU
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