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英飛凌擴展第三代逆導IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴展其第三代逆導 （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應市場對高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-25
英飛凌 IGBT 逆導IGBT
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led照明應用
LED 的應用領域非常廣，包括通訊、消費性電子、汽車、照明、信號燈等，可大體區(qū)分為背光源、照明、電子設備、顯示屏、汽車等五大領域。
2012-10-25
led照明應用
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霍爾元件工作原理
霍爾元件是根據(jù)霍爾效應進行磁電轉換的磁敏元件，霍爾元件是一個N型半導體薄片，若在其相對兩側通以控制電流I，而在薄片垂直方向加以磁場氏 則在半導體另外兩側便會產(chǎn)生一個大小與電流，和磁場B的乘積成工比的電壓。這個現(xiàn)象就是霍爾效應，所產(chǎn)生的電壓叫霍爾電壓UR.
2012-10-25
霍爾元件工作原理
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2012年軌道交通創(chuàng)新力企業(yè)50強評選入圍榜單公布
「RT TOP50」軌道交通創(chuàng)新力企業(yè)50強評選榜單，是軌道交通行業(yè)唯一的創(chuàng)新指數(shù)榜，曾由RT《軌道交通》雜志和人民鐵道報、中國企業(yè)評價協(xié)會共同聯(lián)合發(fā)起，自2008年首次發(fā)榜，每年年初都評選出一批富有標桿意義的創(chuàng)新企業(yè)、創(chuàng)新人物、創(chuàng)新產(chǎn)品。
2012-10-25
電子元件技術網(wǎng)
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安森美半導體新增九種高性能溝槽型場截止IGBT
安森美半導體擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產(chǎn)品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。
2012-10-25
安森美半導體 溝槽型場截止IGBT 電機控制 太陽能
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德州儀器首推支持10Gbps以太網(wǎng)標準的收發(fā)器
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持多種 10G/40G 以太網(wǎng)標準以及 1 Gbps 至 10 Gbps 多種專有速率的 4 通道 XAUI/10GBASE-KR 收發(fā)器TLK10034 ，能靈活應用于物理層 (PHY) 串行器／解串器 (SerDes) ，幫助工程師采用單個串行器／解串器滿足其所有協(xié)議需求，無需準備多種器件。
2012-10-25
德州儀器 10Gbps 以太網(wǎng)標準 收發(fā)器
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愛特梅爾推出獲Windows 8認證的mXT3432S
特梅爾公司(Atmel)宣布設計用于快速增長的超級本和筆記本電腦市場的maXTouch S系列器件現(xiàn)已供貨。新推出的Windows 8認證Atmel mXT3432S以maXTouch S系列的成功為基礎，是優(yōu)化用于最大17.3英寸觸摸屏的小占位面積觸摸屏控制器。
2012-10-25
愛特梅爾 Windows 8 mXT3432S 超級本 筆記本
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解決模擬工程師的困擾:晶振匹配和溫度漂移
模擬工程師，在電路中使用晶振時，經(jīng)常會碰到這樣的煩惱，一是晶振在電路中匹配不理想，影響使用效果；二是晶振的溫度漂移太大，甚至影響產(chǎn)品的性能。
2012-10-24
晶振 晶振匹配 溫度漂移
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D類功放和與AB類功放優(yōu)缺點對比
“數(shù)字功放”的基本電路是早已存在的Ｄ類放大器（國內稱丁類放大器）。以前，由于價格和技術上的原因，這種放大電路只是在實驗室或高價位的測試儀器中應用。這幾年的技術發(fā)展使數(shù)字功放的元件集成到一兩塊芯片中，價格也在不斷下降。理論證明，Ｄ類放大器的效率可達到100％。然而，迄今還沒有找到理想...
2012-10-24
D類功放 AB類功放 數(shù)字功放
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