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東京農工大學開發出單層碳納米管與鈦酸鋰復合而成的鋰離子電容器
東京農工大學研究生院于2009年3月宣布，開發出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復合而成的負極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實現了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據稱，該功率MOSFET的導通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優值）為“業界最高”。全部柵極電荷量為標準50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。
2010-04-19
IR 導通電阻 耐壓 功率MOSFET
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2011年電路保護市場將持續增長
2011年，市場預測預測表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機和汽車電子市場持續成長；聚合物PTC熱敏電阻在傳統過流保護如筆記本電腦和上網本的USB防護和電池的二次防護方面得到發展；NTC熱敏電阻的市場重心將偏向汽車和大型家庭用空調系統（其價值在于組件的生產，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...
2010-04-16
過流保護 過壓保護 電路保護
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全球半導體設備資本支出衰退潮有望扭轉
國際研究暨顧問機構Gartner發布最終統計結果，2009年全球半導體設備資本設備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設備支出大幅下滑47%，后端設備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導體設備 資本支出 衰退潮 扭轉
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多晶硅產業將在2011年面臨大幅震蕩
多晶硅產業將在2011年面臨大幅震蕩。此結論來源于Bernreuter信息研究公司（以下簡稱Bernreuter研究）今日發布的最新研究報告《太陽能多晶硅的生產狀況》。多晶硅被視為半導體和光伏產業的供給原料，但在該市場于2009年轉至供過于求的狀態之前，多晶硅一直處于短缺。
2010-04-16
多晶硅 面臨 大幅震蕩 Bernreuter
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供貨商節制擴產 被動組件全年缺貨
被動組件自去年第四季起供應吃緊，廠商即使紛紛拉高產能利用率至滿水位，還是跟不上客戶拉貨的腳步，庫存逐步見底，國巨的成品庫存天數由上季的23天，到第一季一口氣掉到14天，為歷史最低庫存量。
2010-04-16
供貨商 節制擴產 被動組件 缺貨
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選擇合適的OVP、OCP元器件應對電路保護設計挑戰
隨著電子系統越來越復雜，對各種電子系統的可靠性要求不斷提高，各種電路保護元器件已經成為電子系統中必不可少的組成部分，保護器件廠商也需要緊跟電路設計的趨勢開發出新型產品應對設計挑戰。
2010-04-16
電路保護 過壓 過流 SZ2010
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TDK開發出Serial ATAⅡ對應的SHG2A系列Half Slim Type SSD
TDK開發出Serial ATAⅡ對應的SHG2A系列Half Slim Type SSD，是世界首次公開壽命監控軟件、高速度、高信賴性、長壽命的Half Slim型SATA2 固態硬盤，日本首次*SLC閃存采用，使用電源保護電路，斷電耐受性達到業內最高水平。
2010-04-16
硬盤 壽命監控 Half Slim SATA2 固態硬盤
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創新是保持半導體營業收入穩定關鍵
據iSuppli公司，盡管2010年半導體營業收入預計增長15.4%，擺脫2009年的銳減局面，但保持增長的關鍵其實就是兩個字：創新。
2010-04-15
半導體 創新 硅片
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