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元器件行業(yè)：不景氣環(huán)境下的機(jī)會
雖然困難重重，但2009年行業(yè)運(yùn)行并不會一無是處。2009年元器件行業(yè)最大的風(fēng)險仍然來自于下游需求的疲軟；盡管如此，我們?nèi)耘袛嘈袠I(yè)2009年將會表現(xiàn)出一些亮點(diǎn)
2008-12-31
半導(dǎo)體 液晶面板 PCB 元器件 電子元器件
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元器件行業(yè)：不景氣環(huán)境下的機(jī)會
雖然困難重重，但2009年行業(yè)運(yùn)行并不會一無是處。2009年元器件行業(yè)最大的風(fēng)險仍然來自于下游需求的疲軟；盡管如此，我們?nèi)耘袛嘈袠I(yè)2009年將會表現(xiàn)出一些亮點(diǎn)
2008-12-31
半導(dǎo)體 液晶面板 PCB 元器件 電子元器件
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元器件行業(yè)：不景氣環(huán)境下的機(jī)會
雖然困難重重，但2009年行業(yè)運(yùn)行并不會一無是處。2009年元器件行業(yè)最大的風(fēng)險仍然來自于下游需求的疲軟；盡管如此，我們?nèi)耘袛嘈袠I(yè)2009年將會表現(xiàn)出一些亮點(diǎn)
2008-12-31
半導(dǎo)體 液晶面板 PCB 元器件 電子元器件
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ZXMS6004FF：Diodes自保護(hù)式MOSFET
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
2008-12-31
ZXMS6004FF IntelliFET MOSFET 靜電放電 ESD 過壓保護(hù) 過流保護(hù) 過溫保護(hù)
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ZXMS6004FF：Diodes自保護(hù)式MOSFET
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
2008-12-31
ZXMS6004FF IntelliFET MOSFET 靜電放電 ESD 過壓保護(hù) 過流保護(hù) 過溫保護(hù)
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ZXMS6004FF：Diodes自保護(hù)式MOSFET
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
2008-12-31
ZXMS6004FF IntelliFET MOSFET 靜電放電 ESD 過壓保護(hù) 過流保護(hù) 過溫保護(hù)
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Eamex開發(fā)100WhL的大容量電容器
日本Eamex宣布，開發(fā)出了單位體積電量密度極高的大容量電容器。該產(chǎn)品是使用金屬電極夾住固體高分子膜的電雙層電容器的一種，電極的比表面積提高到該公司原產(chǎn)品的10倍，同時電解液的鹽通過使用鋰離子，實(shí)現(xiàn)了電極上100Wh/L的能量密度。
2008-12-31
電容器 被動元件 鋰離子 鋰離子電容器 電雙層電容
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Eamex開發(fā)100WhL的大容量電容器
日本Eamex宣布，開發(fā)出了單位體積電量密度極高的大容量電容器。該產(chǎn)品是使用金屬電極夾住固體高分子膜的電雙層電容器的一種，電極的比表面積提高到該公司原產(chǎn)品的10倍，同時電解液的鹽通過使用鋰離子，實(shí)現(xiàn)了電極上100Wh/L的能量密度。
2008-12-31
電容器 被動元件 鋰離子 鋰離子電容器 電雙層電容
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Eamex開發(fā)100WhL的大容量電容器
日本Eamex宣布，開發(fā)出了單位體積電量密度極高的大容量電容器。該產(chǎn)品是使用金屬電極夾住固體高分子膜的電雙層電容器的一種，電極的比表面積提高到該公司原產(chǎn)品的10倍，同時電解液的鹽通過使用鋰離子，實(shí)現(xiàn)了電極上100Wh/L的能量密度。
2008-12-31
電容器 被動元件 鋰離子 鋰離子電容器 電雙層電容
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