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存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機(jī)遇？
縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局——以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機(jī)遇？這里結(jié)合自己的...
2012-03-29
存儲技術(shù) 中國制造 機(jī)遇
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TD-LTE終端產(chǎn)品市場尚未完全打開
目前中國TD-LTE終端芯片還處于起步階段，整體市場行情還未完全打開，未來還有許多潛力可以去發(fā)掘。國內(nèi)外芯片廠商市場參與熱情有限，但鑒于中國龐大的潛在市場，眾多芯片廠商也積極布局TD-LTE終端芯片市場，加緊研發(fā)TD-LTE多模終端芯片技術(shù)，擇機(jī)進(jìn)入終端芯片市場。
2012-03-29
TD-LTE 終端產(chǎn)品 產(chǎn)業(yè)鏈 產(chǎn)品
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TD-LTE終端產(chǎn)品市場尚未完全打開
目前中國TD-LTE終端芯片還處于起步階段，整體市場行情還未完全打開，未來還有許多潛力可以去發(fā)掘。國內(nèi)外芯片廠商市場參與熱情有限，但鑒于中國龐大的潛在市場，眾多芯片廠商也積極布局TD-LTE終端芯片市場，加緊研發(fā)TD-LTE多模終端芯片技術(shù)，擇機(jī)進(jìn)入終端芯片市場。
2012-03-29
TD-LTE 終端產(chǎn)品 產(chǎn)業(yè)鏈 產(chǎn)品
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智能化升級帶來國有電子設(shè)備企業(yè)新危機(jī)
據(jù)國家統(tǒng)計局最新數(shù)據(jù)，今年1~2月份，國有企業(yè)的利潤步入下行通道，全國規(guī)模以上的工業(yè)企業(yè)中，計算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)的利潤下降了40.8%
2012-03-29
智能手機(jī) 山寨手機(jī) 國有企業(yè) 計算機(jī)
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家電行業(yè)趨勢帶來傳感器市場新商機(jī)
隨著人們對節(jié)能環(huán)保這個概念的重視程度越來越高，在家用電器方面各大廠家也很注重能效的控制，節(jié)能風(fēng)暴早已在市場中展開，因此傳感器在其中發(fā)揮著舉足輕重的作用。在中國家電協(xié)會發(fā)布的《中國家用電器工業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃的建議》中，將家電工業(yè)節(jié)能減排放在突出地位。首先發(fā)力的是空調(diào)行業(yè)，大家...
2012-03-29
變頻空調(diào) 冰箱 家電 傳感器 物聯(lián)網(wǎng)
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慣性感測器“左右逢源”增長率將達(dá)18.6%
隨著消費(fèi)市場對智慧型手機(jī)產(chǎn)品需求大幅提升，慣性感測器出貨量在2011~2016年的年復(fù)合成長率(CAGR)將達(dá)18.6%，但產(chǎn)品價格卻會持續(xù)下降，因此同期間的市場產(chǎn)值CAGR將達(dá)16.6%，約28億美元。愈來愈多業(yè)者開始朝整合矽感測器的功能發(fā)展，市場生態(tài)逐步改變。
2012-03-29
慣性 感測器 加速度計
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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對待，在存儲和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對待，在存儲和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇要點(diǎn)
同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)。控制器生產(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降壓式
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