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±0.02mm極致精準：激光三維掃描如何破解葉片微裂紋與磨損檢測難題
風力發(fā)電機葉片作為捕獲風能的核心部件，其健康狀態(tài)直接關乎發(fā)電效率與運行安全。面對長期戶外復雜環(huán)境引發(fā)的表面磨損、邊緣剝蝕及微裂紋等隱患，傳統(tǒng)依賴人工攀爬或無人機航拍的檢測手段已難以滿足±0.1mm磨損深度與±0.05mm裂紋寬度的高精度量化需求，且存在顯著的安全風險與數(shù)據盲區(qū)。與此同時，以...
2026-02-24
風力發(fā)電機葉片 激光掃描 新啟航半導體 三維測量
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億元“出場費”買到了什么？透視中國機器人產業(yè)的真實底色
2026年央視春晚的聚光燈下，宇樹科技的硬核武術以及松延動力的親民幽默取代了傳統(tǒng)的歌舞雜技，春晚舞臺已不再僅僅是大眾娛樂的焦點，更蛻變?yōu)橹袊鴻C器人產業(yè)邁向規(guī)模化元年的“國家級路演”。在IDC數(shù)據顯示全球人形機器人出貨量激增508%的背景下，有報道，每家公司為此投入了約1億元的“出場費”。四家...
2026-02-24
人形機器人 芯片 規(guī)模化元年
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廣西首例！"腦機接口"腦起搏器成功植入帕金森患者體內
近日，廣西神經系統(tǒng)疾病治療領域迎來重大突破——中山大學附屬第一醫(yī)院廣西醫(yī)院成功完成全區(qū)首例"腦機接口"腦起搏器植入手術。59歲的帕金森病患者檀阿姨在飽受疾病折磨7年后，于2月3日接受了搭載國際新一代Percept?RC腦起搏器的植入手術。這款設備首次實現(xiàn)"讀腦-分析-反饋-調節(jié)"的完整閉環(huán)治療，標志...
2026-02-20
腦機接口 腦起搏器 帕金森病
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你以為電梯只是鐵盒子？其實是“法拉第籠”在屏蔽你的信號！
你是否曾在電梯里突然“失聯(lián)”——微信發(fā)不出去、電話打不通、地圖加載失敗？這并不是手機出了問題，而是你正身處一個現(xiàn)代版的“法拉第籠”之中。電梯看似只是日常通勤的工具，實則是一個由金屬外殼與密閉井道共同構筑的電磁屏蔽空間，能將外部信號幾乎完全隔絕。這種現(xiàn)象背后，是19世紀科學巨匠邁克爾·法...
2026-02-12
電梯信號 電磁屏蔽 信號放大器
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堅守初心不做跟隨者，加特蘭UWB如何重塑車規(guī)芯片賽道？
在中國芯片產業(yè)從 “可用” 向 “引領” 進階的浪潮中，本土企業(yè)正以參與國際標準制定、推出創(chuàng)新產品的姿態(tài)，在各細分賽道實現(xiàn)突破。UWB（超寬帶）領域便是典型代表，加特蘭不僅深度參與下一代 IEEE 802.15.4ab 標準制定，更率先發(fā)布全球首款基于該標準的車規(guī) UWB SoC 產品，還斬獲行業(yè)重磅大獎。這款產...
2026-02-06
加特蘭 UWB IEEE 802.15.4ab 車規(guī) UWB SoC
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以統(tǒng)一車輛核心為中樞——S32N7賦能SDV全生命周期創(chuàng)新
在軟件定義汽車（SDV）加速演進的浪潮中，傳統(tǒng)汽車“信息孤島式”架構的弊端日益凸顯——各功能域獨立運行、數(shù)據封閉，直接導致研發(fā)復雜度攀升、成本高企，更桎梏了AI驅動的創(chuàng)新可能。為打破這一行業(yè)瓶頸，恩智浦推出S32N7超高集成度處理器，以統(tǒng)一車輛核心為中樞，構建集中化計算與跨域數(shù)據共享體系。...
2026-01-27
恩智浦 S32N7 超高集成度處理器 邊緣 AI 軟件定義汽車
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安謀科技Arm China與香港科技大學簽署合作備忘錄，共繪AI前沿創(chuàng)新藍圖
1月23日，國內芯片IP設計領域領軍企業(yè)安謀科技與香港科技大學正式簽署合作備忘錄，雙方將聚焦芯片IP設計、AI計算、具身智能及機器人四大關鍵方向，開啟產學研協(xié)同創(chuàng)新新篇章。此次合作由安謀科技CEO陳鋒與香港科技大學副校長（研究與發(fā)展）鄭光廷教授共同見證簽署，依托安謀科技深厚的產業(yè)資源與技...
2026-01-23
安謀科技 香港科技大學 芯片 IP 設計 AI
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工業(yè)自動化中的光耦：隔離、優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
在工業(yè)自動化向高效、安全、可靠方向升級的進程中，電氣隔離與抗干擾能力成為保障系統(tǒng)穩(wěn)定運行的核心訴求。光耦作為一種基于光電轉換原理實現(xiàn)電氣隔離的關鍵元件，憑借其獨特的結構設計，在輸入端與輸出端之間構建起可靠的隔離屏障，有效解決了工業(yè)場景中高壓、干擾等痛點。本文將從光耦的基本原理...
2026-01-22
光耦 工業(yè)自動化 電氣隔離 電機控制
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LTC7891 驅動 GaN 器件：死區(qū)時間優(yōu)化與過沖測量關鍵技術
電源轉換領域用上氮化鎵（GaN）器件后，能實現(xiàn)更高能量密度和更快開關速度，但GaN FET沒有體二極管，且柵極電壓限制嚴苛，死區(qū)時間的設置成了老大難問題。死區(qū)時間太短會引發(fā)“直通”，直接損壞器件；太長又會讓反向導通損耗飆升，拉低效率。本文以15V-36V輸入、12V/15A輸出的LTC7891降壓轉換器為例，...
2026-01-21
氮化鎵 (GaN) FET 降壓轉換器 柵極驅動 LTC7891 功率損耗
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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