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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優化現代設計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來更多有價值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。
2023-04-24
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大
EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現高達數萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。
2023-04-23
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貿澤電子擴充智慧農業資源中心助力相關應用設計
2023年4月21日 – 業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 為工程師和農業技術人員提供方便瀏覽的資源庫，重點關注農業領域的動態發展和技術。從機器人解決方案到嵌入式系統，貿澤內容全面的智慧農業資源中心讓用戶能夠接觸到眾多創新產品和解決方案，進一步推動農業走向未來。貿澤提供豐富多樣的文章、博客、產品資料、電子書等，帶您探索智慧城市中的垂直農業、數據融合和建造智能溫室等主題。
2023-04-21
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E-RSSI技術助力更精確的短距離測距應用
RSSI是Received Signal Strength Indicator（接收信號強度指示器）的縮寫，用于測量接收到的信號強度。在低功耗藍牙設備中，RSSI也具有重要的作用。
2023-04-19
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是時候從Si切換到SiC了嗎？
在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiC MOSFET，已經從一個研究課題演變成一個重要的商業化產品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅動系統中采用，但現在，越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統設計中都必須評估SiC在系統中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？
2023-04-18
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納芯微隔離和驅動技術為SiC+800V電驅動賦能
當前，以新能源汽車為代表的新興汽車正在迅速替代傳統的燃油車，雖然新能源汽車正在成為更多人的選擇，但毋庸置疑，它在消費者體驗方面仍有痛點，一是充電不方便或充電比較慢，二是續航里程不夠。
2023-04-18
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RS瑞森半導體在汽車充電樁上的應用
充電樁按照技術分類，可分為交流充電樁也叫“慢充”，直流充電樁也叫“快充”，隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場的發展前景也更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V～700V，但隨著快速充電的需求不斷增加，整個電壓平臺都會向 800～1000V以上提升，電壓等級提升的同時也凸顯了SiC功率器件的優勢。
2023-04-18
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貿澤聯手Apex推出全新電子書，探索高可靠性設計中的挑戰與難點
2023年4月14日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Apex Microtechnology聯手推出全新電子書《An Engineer’s Guide to High Reliability Components》（面向工程師的高可靠性元件指南），探索高可靠性元件設計中的挑戰和細節。書中，來自Apex Microtechnology的主題專家深入探討了高可靠性設計中的諸多難點。該書共收錄了五篇詳細的文章，分別介紹了熱管理、密封封裝和碳化硅等主題。
2023-04-14
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什么是混合信號 IC 設計？
在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內置在傳感器外殼中。現代 IC 通常由來自各個領域的元素組成。還有各種片上系統 (SoC) 和系統級封裝 (SiP) 技術，包括單個 IC 上的每個 IC 設計域，或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。
2023-04-13
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整車電子電氣架構中的智能執行器
還記得兩三年前，當我們談論電子電氣架構(Electrical/Electronic Architecture，EEA)的時候，還是談論分布式架構到域控架構的升級，關于中央計算單元+區域控制器架構，感覺還是遙不可及，電子電氣架構發展階段圖如下所示。
2023-04-13
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使用HRPWM的注意事項
隨著新能源領域的發展, 在數字電源控制系統中要求功率密度高且轉換效率高。其中,整機功率密度的提升，就需要提高開關頻率, 大部分現有產品的開關頻率在50k~200kHz。然而, 由于SiC/GaN器件的大面積推廣與使用, 開關頻率已經提升到500kHz，甚至1MHz。當系統的開關頻率超過200kHz時，此時PWM脈寬的調節精度會變低, 這就需要使用高精度模式的PWM調制。我們把用于擴展傳統ePWM模塊的時間精度的模塊, 稱之為高精度PWM(High resolution PWM)。本文將對C2000TM片上HRPWM模塊的工作原理、使用方法和注意事項進行詳細討論，并以實際案例進行展示。此外，HRPWM模塊也可以作DAC輸出用來實現模擬信號的觀測。
2023-04-12
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