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SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法
針對目前雜散電感提取方法存在的問題，本文提出了一種適用于SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法，并基于SiC功率器件的開關瞬態(tài)特性測試平臺對本文所提雜散電感提取方法的可行性進行了驗證。與現(xiàn)有的間接測量方法不同，該方法是基于SiC MOSFET開關瞬態(tài)振蕩頻率求解換流回路雜散電感。
2018-11-29
SiC MOSFET 電感
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功率MOSFET線性區(qū)負溫度系數(shù)
功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流，VGS電壓低，通常在負溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過熱導致其流過更大的電流，結果溫度更高，從而形成局部熱點導致器件損壞，這樣就形成一個熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負溫度系數(shù)區(qū)。
2018-11-29
MOSFET 負溫度系數(shù) 電勢
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電源造成的車輛怠速啟停不穩(wěn)問題該怎么辦？
怠速啟停時的電池電壓下降引起的功能不全、怠速啟停后的電池電量波動(啟動)引起的誤動作等問題也是亟需要解決的問題。為此，羅姆開發(fā)出了優(yōu)異的低消耗電流和穩(wěn)定性能(瞬態(tài)響應特性，以下簡稱“響應性能”)的升降壓電源芯片組。
2018-11-28
電源 怠速啟停
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熟知引起電源模塊發(fā)熱的四大原因
一摸電源模塊的表面，熱乎乎的，模塊壞了？且慢，有一點發(fā)熱，僅僅只是因為它正努力地工作著。但高溫對電源模塊的可靠性影響極其大！基于電源模塊熱設計的知識，這一次，我們扒一扒引起電源模塊發(fā)熱的原因。
2018-11-28
電源模塊 電源發(fā)熱
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功率MOSFET線性區(qū)工作設計
功率MOSFET有三個工作狀態(tài)，在漏極導通特性曲線上，對應的是三個工作區(qū)：截止區(qū)，線性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到：MOSFET的線性區(qū)有時也稱為：恒流區(qū)或飽和區(qū)。
2018-11-28
MOSFET 開關電源
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分享30條開關電源工作小技巧
電源開發(fā)是個技術活，也是個累活，工作繁雜時難免會犯一些低級小錯誤。這些錯誤，會導致一系列的連鎖反應，需要采購部、生產部、PM、品管部、業(yè)務部、工程部等眾多部門來配合，以修正你的那個小錯誤。
2018-11-27
開關電源 變壓器 電阻器
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你知道SiC MOSFET驅動負壓應該如何選擇嗎？
SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應力下會產生閾值漂移現(xiàn)象。以下將講解如何通過調整門極驅動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2018-11-27
MOSFET 驅動負壓 Vth漂移
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Silicon Labs副總裁兼電源產品總經理:電動汽車系統(tǒng)中的隔離應用
Silicon Labs副總裁兼電源產品總經理Ross Sabolcik近日分享關于電動汽車系統(tǒng)中的隔離應用理解。在這些應用中，電流隔離（通常是基于半導體的隔離）是必須的，以允許數(shù)字控制器安全地和現(xiàn)代EV高壓系統(tǒng)進行連接。
2018-11-26
電動汽車系統(tǒng) 電流隔離
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非常全面！開關電源各種元器件的計算和選型
電源工程師絕對不容錯過，這里將全面講解開關電源的各個元器件計算，損耗估算，散熱器的大小計算等內容，建議可收藏。
2018-11-26
開關電源 元器件 計算 選型
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