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如何測(cè)量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
功率回路 電感
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相...
2024-03-12
功率MOSFET UIS
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優(yōu)化大功率直流充電樁設(shè)計(jì)
充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評(píng)估購買電動(dòng)汽車 (EV)的一個(gè)主要考慮因素。為了縮短充電時(shí)間，業(yè)界正轉(zhuǎn)向采用直流充電樁 (DCFC) 。DCFC 繞過電動(dòng)汽車的車載充電器，直接向電池提供更高的功率，從而大大縮短充電時(shí)間。
2024-03-12
直流充電樁
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海康威視在西安城墻，以智能物聯(lián)守護(hù)國寶級(jí)文物
作為古都西安一張?zhí)貏e的名片，城墻曾以自己的身軀守護(hù)著一方城郭，而今，一代又一代“城墻人”也保護(hù)著這座世界上歷史最悠久、保存最完整的古代城垣建筑，并將“數(shù)智”技術(shù)貫穿文物保護(hù)之中。2023年，西安城墻打造了“西安城墻數(shù)字方艙”管理平臺(tái)，與海康威視合作成立“文保數(shù)據(jù)治理實(shí)驗(yàn)室”，助力城墻實(shí)現(xiàn)...
2024-03-12
海康威視 西安城墻 智能物聯(lián)
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如何針對(duì)工業(yè)應(yīng)用改造螺線管和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
工廠車間控制系統(tǒng)、汽車和實(shí)驗(yàn)室設(shè)備等邊緣設(shè)備應(yīng)用越來越多地利用物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和人工智能 (AI) 功能，以實(shí)現(xiàn)低延遲決策、更強(qiáng)性能、更低成本以及更高的安全性和生產(chǎn)力。螺線管和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器需要與時(shí)俱進(jìn)，加入更多板載傳感和智能功能，以便集成到快速發(fā)展的新環(huán)境中，進(jìn)一步改善精度、可靠性...
2024-03-11
螺線管 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 工業(yè)應(yīng)用
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發(fā)光二極管中的電阻器
當(dāng)電流通過時(shí)，LED（發(fā)光二極管）就會(huì)發(fā)光。為 LED 供電的簡(jiǎn)單電路是一個(gè)帶有串聯(lián)電阻和 LED 的電壓源。這種電阻器通常稱為鎮(zhèn)流電阻器。鎮(zhèn)流電阻用于限制通過 LED 的電流并防止電流過大而燒壞 LED。如果電壓源等于 LED 的壓降，則不需要電阻。LED 還可采用集成封裝，并配有用于 LED 操作的正確電阻器。
2024-03-11
發(fā)光二極管 電阻器
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下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進(jìn)系統(tǒng)級(jí)電流測(cè)量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測(cè)量和電流隔離的電機(jī)/逆變器。隨著電機(jī)/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開關(guān)頻率和更低發(fā)熱量的優(yōu)勢(shì)，而開始取代MOSFET和IGBT。然而，隔離器件需要具有高CMTI能力，另外還需要更高精度的電流測(cè)量。下一代隔離調(diào)制器大大提...
2024-03-11
隔離式Σ-Δ調(diào)制器 電流測(cè)量
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